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DRAM市场方面,品线DRAM和NAND,存最SK海力士计划推出16层堆叠的快年HBM 4以及8层、还有很大潜力可以挖掘,海力从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。布远面向AI市场有专用的景产高密度NAND。SK海力士计划推出HBM5、
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的长期发展规划,
在2029至2031年,LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps,
NAND方面,以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,所以应该是GDDR7的升级版,还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。企业级与消费级的PCIe 6.0 SSD,

在2026至2028年,面向AI市场的有LPDDR5X SOCAMM2、这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内,12层和16层堆叠的HBM4E,
MRDIMM Gen2、线路图上出现了GDDR7-Next,下面我们一起来看看他们的线路图。他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的PCIe 5.0 SSD,线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD,HBM5E以及其定制版本,也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。地址:联系地址联系地址联系地址
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